Конкурсы

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем проектирования в микроэлектронике Российской академии наук (ИППМ РАН) объявляет конкурс на замещение вакантной должности:

В Отделе проектирования микроэлектронных компонентов для нанотехнологий:

• младшего научного сотрудника (одна вакансия);

  Квалификационный уровень претендента на должность:

  • Высшее профессиональное образование в области электронной техники и опыт работы по соответствующей специальности, в том числе опыт научной работы в период обучения.
  • Наличие не менее 5 публикаций в рецензируемых отечественных (из списка ВАК) и международных (из баз данных WOS, Scopus) журналах в области моделирования динамических процессов переключения намагниченности и генерации электромагнитного излучения в спинтронных элементах с размерами в нанометровом диапазоне.
  • Участие за последние 5 лет в работе международных (не менее 3 докладов) и отечественных конференций (не менее 3 докладов) в следующих областях: физика магнитных явлений, спинтроника, элементы магнитной памяти, магнитные сенсоры, биосенсоры, математическое моделирование.в числе авторов докладов в научных совещаниях, семинарах, молодёжных конференциях российского или институтского масштаба

  Условия трудового договора:
  С победителем заключается срочный трудовой договор на время избрания по конкурсу (не более пяти лет).

Заявки на конкурс (вместе с полным комплектом документов) подаются ученому секретарю ИППМ РАН по адресу: г. Москва, Зеленоград, ул.Советская, д.3.

Дата начала приема заявок 01.10.2018 г.

Дата окончания приема заявок 19.11.2018 г.

Конкурс проводится 28.11.2018 г. в 11-00 по адресу: г. Москва, Зеленоград, ул.Советская, д.3.
Контакты: Ученый секретарь Ходош Лев Соломонович
Тел.раб. 8(499)729-9890
Тел.моб.8(925)0112468
(Приказ по Институту №112-128 от 25.09.2018 г.)