Главная  Каталог авторов Каталог трудов Расширенный поиск Добавление статей Регистрация

Разработка методов проектирования компактной топологии регулярных структур FinFET транзисторов на основе технологии режущих слоев

Авторы
 Гаврилов С.В.
 Карева Е.С.
 Рыжова Д.И.
Год публикации
 2017
Тип работы
 статья в научном журнале

Ссылка на статью
 Гаврилов С.В., Карева Е.С., Рыжова Д.И. Разработка методов проектирования компактной топологии регулярных структур FinFET транзисторов на основе технологии режущих слоев. Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника. 2017. № 3 (167). С. 13-21.

Сайт ИППМ    Сайт ИнфоМЭС    Обратная связь

Copyright © 2012-2022 ИППМ РАН. All Rights Reserved.
Обновлённая и существенно переработанная версия системы от 2016 года.

Разработка сайта - ИППМ РАН