Главная  Каталог авторов Каталог трудов Расширенный поиск Добавление статей Регистрация

Листинг всех работ автора. Нажмите на название работы чтобы получить по ней полную информацию.

Попов Д.А. (Popov D.A.)
2011 
 Petrosyants K.O., Orekhov E.V., Popov D.A., Kharitonov I.A., Sambursky L.M., Yatmanov A.P., Voevodin A.V., Mansurov A.N.
TCAD-SPICE Simulation of MOSFET switch delay time for different CMOS technologies
2012 
 Петросянц К.О., Кожухов М.В., Попов Д.А., Орехов Е.В.
Математические модели, встроенные в систему TCAD, для учета влияния гамма- и нейтронного излучения на полупроводниковые приборы
 Попов Д.А., Орехов Е.В.
Исследование влияния неравномерного легирования канала на основные параметры КНИ МОП-транзистора с длиной канала 0.08 мкм
2013 
 Petrosyants K.O., Popov D.A.
Experimental Investigation of Temperature-Current Rise in Fine PCB Copper Traces on Polyimide, Aluminium and Ceramic (Al2O3) Substrates
 Петросянц К.О., Харитонов И.А., Попов Д.А.
Применение пакетов программ TCAD и HSPICE для анализа переходных процессов в ячейках КМОП ИС с учетом влияния эффекта саморазгрева
 Petrosyants K.O., Orekhov E.V., Kharitonov I.A., Popov D.A.
TCAD analysis of self-heating effects in bulk silicon and SOI n-MOSFETs
 Petrosyants K.O., Kortunov A.V., Kharitonov I.A., Popov D.A., Gomanilova N.B., Rjabov N.I.
Analysis and Simulation of Temperature-Current Rise in Modern PCB Traces
 Петросянц К.О., Попов Д.А.
Учет влияния температуры на радиационный сдвиг порогового напряжения МОП-транзистора в системе TCAD
 Petrosyants K.O., Kharitonov I.A., Popov D.A.
Coupled TCAD-SPICE Simulation of Parasitic BJT Effect on SOI CMOS SRAM SEU
2015 
 Лебедев В., Петросянц К.О., Попов Д.А., Самбурский Л.М., Стахин В.Г., Харитонов И.А.
Моделирование КНИ МОП-транзисторов для высокотемпературных КМОП интегральных схем (до 300°С)
 Петросянц К.О., Попов Д.А., Самбурский Л.М.
Анализ с помощью системы TCAD токов утечки 45 нм МОП транзисторной структуры с high-k диэлектриком
2018 
 Петросянц К.О., Кожухов М.В., Попов Д.А.
Обобщённая TCAD-модель для учёта радиационных эффектов в структурах МОП и биполярных транзисторов
 Петросянц К.О., Попов Д.А.
Моделирование эффекта саморазогрева КНИ МОП-транзистора с различной конфигурацией скрытого оксида
 

Сайт ИППМ    Сайт ИнфоМЭС    Обратная связь

Copyright © 2012-2019 ИППМ РАН. All Rights Reserved.
Обновлённая и существенно переработанная версия системы от 2016 года.

Разработка сайта - ИППМ РАН