Главная  Каталог авторов Каталог трудов Расширенный поиск Добавление статей Регистрация

Листинг всех работ автора. Нажмите на название работы чтобы получить по ней полную информацию.

Самбурский Л.М. (Sambursky L.M.)
2005 
 Самбурский Л.М.
SPICE-модели оптоэлектронных элементов для расчета фоточувствительных КМОП-ФД БИС
2008 
 Харитонов И.А., Петросянц К.О., Орехов Е.В., Ятманов А.П., Самбурский Л.М.
Приборно-технологическое моделирование элементной базы КМОП КНИ БИС с учётом факторов радиационного воздействия
2011 
 Petrosyants K.O., Sambursky L.M., Kharitonov I.A., Yatmanov A.P.
SOI/SOS MOS-Transistor Compact Macromodel Taking into Account Radiation Effects
 Petrosyants K.O., Orekhov E.V., Popov D.A., Kharitonov I.A., Sambursky L.M., Yatmanov A.P., Voevodin A.V., Mansurov A.N.
TCAD-SPICE Simulation of MOSFET switch delay time for different CMOS technologies
 Петросянц К.О., Харитонов И.А., Самбурский Л.М., Орехов Е.В.
Определение параметров электрической подсхемы, подключаемой к SPICE модели МОП транзистора для учета влияния отдельных ядерных частиц
 Петросянц К.О., Самбурский Л.М., Харитонов И.А., Ятманов А.П.
Компактная макромодель КНИ/КНС МОП-транзистора, учитывающая радиационные эффекты
2012 
 Петросянц К.О., Самбурский Л.М., Харитонов И.А., Дрозденко Е.С., Поварницына З.М., Богатырев В.Н.
Simulation of Total Dose Influence on Analog-Digital SOI/SOS CMOS Circuits with EKV-RAD macromodel
 Петросянц К.О., Харитонов И.А., Орехов Е.В., Самбурский Л.М., Ятманов А.П., Воеводин А.В.
Исследование стойкости к воздействию отдельных ядерных частиц ячеек КНИ КМОП ОЗУ методами смешанного 3D TCAD-SPICE моделирования
 Дрозденко Е.С., Петросянц К.О., Поварницына З.М., Харитонов И.А., Хотькова О.А., Самбурский Л.М., Черный А.И.
Определение параметров spice-модели КНС МОП-транзисторов для проектирования аналоговых и цифро-аналоговых специализированных интегральных схем для радиационно-стойкой аппаратуры
 Консбаев К., Самбурский Л.М.
Разработка системы автоматизации измерений характеристик и экстракции радиационных параметров макромодели КНИ/КНС МОП-транзисторов
 Петросянц К.О., Самбурский Л.М.
SPICE-модели фотодиодов и фототранзисторов для расчёта КНС КМОП фоточувствительных ячеек
 Петросянц К.О., Харитонов И.А., Самбурский Л.М., Адонин А.С.
Макромодель EKV RAD для КНИ/КНС МОП транзисторов, учитывающая радиационные эффекты
 Петросянц К.О., Харитонов И.А., Орехов Е.В., Самбурский Л.М., Ятманов А.П.
Моделирование влияния паразитного биполярного транзистора на механизм одиночных сбоев ячейки памяти КНИ КМОП ОЗУ
 Дрозденко Е.С., Самбурский Л.М.
Аппаратно-программный комплекс для параметрического и функционального контроля фрагментов АЦ/ЦА БИС
2013 
 Самбурский Л.М.
Моделирование перекрёстных электрических помех в КМОП-ФД матрице
 Petrosyants K.O., Kharitonov I.A., Sambursky L.M.
Hardware-Software Subsystem for MOSFETs Characteristic Measurement and Parameter Extraction with Account for Radiation Effects
 Петросянц К.О., Харитонов И.А., Самбурский Л.М.
Сравнительный анализ SPICE-моделей КНИ/КНС МОП-транзисторов для учёта радиационных эффектов
 Орехов Е.В., Пугачев А.А., Самбурский Л.М., Торговников Р.А.
Учет эффекта релаксации упругих напряжений в приборно-технологической модели SiGe/SOI ГМОПТ
2014 
 Petrosyants K.O., Kharitonov I.A., Kozhukhov M.V., Sambursky L.M.
Expanding Commercial SPICE Possibilities in the Field of Extreme Environment Electronics Design by Using New BJT and MOSFET Models with Account for Radiation Influence
 Орехов Е.В., Самбурский Л.М., Торговников Р.А., Пугачев А.А.
Приборно-технологическая модель p-канального SiGe S/D ГМОПТ с учетом эффектов воздействия электронного излучения
 Петросянц К.О., Самбурский Л.М., Харитонов И.А.
Влияние различных видов радиации на характеристики кремний-германиевых гетеропереходных транзисторов
 Orekhov E.V., Sambursky L.M., Torgovnikov R.A., Pugachev A.A.
Modeling of mobility degradation in electron-irradiated SiGe p-type MOSFETs with different Ge concentration
2015 
 Петросянц К.О., Попов Д.А., Самбурский Л.М.
Анализ с помощью системы TCAD токов утечки 45 нм МОП транзисторной структуры с high-k диэлектриком
 Лебедев В., Петросянц К.О., Попов Д.А., Самбурский Л.М., Стахин В.Г., Харитонов И.А.
Моделирование КНИ МОП-транзисторов для высокотемпературных КМОП интегральных схем (до 300°С)
 Петросянц К.О., Самбурский Л.М., Харитонов И.А., Олухов В.М.
Учёт влияния импульсного ионизирующего воздействия в Spice-моделях биполярных транзисторов и диодов
 Петросянц К.О., Самбурский Л.М., Харитонов И.А.
Определение параметров Spice-моделей биполярных транзисторов в диапазоне температуры (-60 °C … +125 °C)
 Петросянц К.О., Харитонов И.А., Самбурский Л.М., Кожухов М.В.
Автоматизация измерений электрических характеристик биполярных и МОП транзисторов, применяемых в аппаратуре, подверженной воздействию различных видов радиации
 Петросянц К.О., Харитонов И.А., Кожухов М.В., Самбурский Л.М.
Схемотехнические SPICE-модели биполярных и МДП-транзисторов для автоматизации проектирования радиационно-стойких БИС
 Petrosyants K.O., Kharitonov I.A., Sambursky L.M., Kozhukhov M.V.
IV-Characteristics Measurement Error Resulting from Long Cables for Irradiated Bipolar Junction Transistors
 Petrosyants K.O., Kharitonov I.A., Sambursky L.M.
SOI/SOS MOSFET Universal Compact SPICE Model with Account for Radiation Effects
 Petrosyants K.O., Kharitonov I.A., Sambursky L.M., Mokeev A.S.
Rad-Hard Versions of SPICE MOSFET Models for Effective Simulation of SOI/SOS CMOS Circuits Taking into Account Radiation Effects
2016 
 Петросянц К.О., Самбурский Л.М., Харитонов И.А., Кожухов М.В.
Измерение электрических характеристик биполярных и МОП транзисторов, применяемых в аппаратуре, подверженной воздействию различных видов радиации
 Петросянц К.О., Самбурский Л.М., Харитонов И.А., Кожухов М.В.
Измерения электрических характеристик биполярных и МОП-транзисторов под действием радиации
 Petrosyants K.O., Lebedev S.V., Sambursky L.M., Stakhin V.G., Kharitonov I.A.
Temperature Characterization of Small-Scale SOI MOSFETs in the Extended Range (to 300°C)
2018 
 Петросянц К.О., Исмаил-Заде М.Р., Самбурский Л.М., Харитонов И.А.
SPICE-модели полевых транзисторов со структурой MOSFET и JFET для расширенного диапазона температуры до -200°С
 

Сайт ИППМ    Сайт ИнфоМЭС    Обратная связь

Copyright © 2012-2019 ИППМ РАН. All Rights Reserved.
Обновлённая и существенно переработанная версия системы от 2016 года.

Разработка сайта - ИППМ РАН