Главная  Каталог авторов Каталог трудов Расширенный поиск Добавление статей Регистрация

Листинг всех работ автора. Нажмите на название работы чтобы получить по ней полную информацию.

Харитонов И.А. (Kharitonov I.A.)
2005 
 Черный А.И., Богатырев В.Н., Поварницына З.М., Петросянц К.О., Харитонов И.А., Карелин А.А.
Проектирование и разработка ОУ на основе КМОП КНИ технологии
2008 
 Петросянц К.О., Рябов Н.И., Харитонов И.А., Козынко П.А.
Реализация процесса электротеплового моделирования в САПР БИС Mentor Graphics
 Харитонов И.А., Петросянц К.О., Орехов Е.В., Ятманов А.П., Самбурский Л.М.
Приборно-технологическое моделирование элементной базы КМОП КНИ БИС с учётом факторов радиационного воздействия
2011 
 Petrosyants K.O., Orekhov E.V., Popov D.A., Kharitonov I.A., Sambursky L.M., Yatmanov A.P., Voevodin A.V., Mansurov A.N.
TCAD-SPICE Simulation of MOSFET switch delay time for different CMOS technologies
 Petrosyants K.O., Sambursky L.M., Kharitonov I.A., Yatmanov A.P.
SOI/SOS MOS-Transistor Compact Macromodel Taking into Account Radiation Effects
 Петросянц К.О., Харитонов И.А., Самбурский Л.М., Орехов Е.В.
Определение параметров электрической подсхемы, подключаемой к SPICE модели МОП транзистора для учета влияния отдельных ядерных частиц
 Петросянц К.О., Самбурский Л.М., Харитонов И.А., Ятманов А.П.
Компактная макромодель КНИ/КНС МОП-транзистора, учитывающая радиационные эффекты
2012 
 Петросянц К.О., Харитонов И.А., Орехов Е.В., Самбурский Л.М., Ятманов А.П., Воеводин А.В.
Исследование стойкости к воздействию отдельных ядерных частиц ячеек КНИ КМОП ОЗУ методами смешанного 3D TCAD-SPICE моделирования
 Петросянц К.О., Самбурский Л.М., Харитонов И.А., Дрозденко Е.С., Поварницына З.М., Богатырев В.Н.
Simulation of Total Dose Influence on Analog-Digital SOI/SOS CMOS Circuits with EKV-RAD macromodel
 Петросянц К.О., Харитонов И.А., Адонин А.С., Сидоров А.В., Александров А.В.
Создание IBIS моделей цифровых микросхем с учетом воздействия внешних факторов
 Козынко П.А., Петросянц К.О., Сидоров А.В., Харитонов И.А., Чичканов Е.Н.
New Version of Automated Electro-Thermal Analysis in Mentor Graphics PCB Design System
 Петросянц К.О., Харитонов И.А., Орехов Е.В., Самбурский Л.М., Ятманов А.П.
Моделирование влияния паразитного биполярного транзистора на механизм одиночных сбоев ячейки памяти КНИ КМОП ОЗУ
 Дрозденко Е.С., Петросянц К.О., Поварницына З.М., Харитонов И.А., Хотькова О.А., Самбурский Л.М., Черный А.И.
Определение параметров spice-модели КНС МОП-транзисторов для проектирования аналоговых и цифро-аналоговых специализированных интегральных схем для радиационно-стойкой аппаратуры
 Петросянц К.О., Харитонов И.А., Самбурский Л.М., Адонин А.С.
Макромодель EKV RAD для КНИ/КНС МОП транзисторов, учитывающая радиационные эффекты
2013 
 Харитонов И.А., Александров А.В., Гоманилова Н.Б., Малышев А.А., Петросянц К.О., Самодуров Д.А., Чемеза Д.М.
Информационно-измерительный комплекс для определения параметров схемотехнических SPICE моделей электронных компонентов с учетом температуры
 Петросянц К.О., Харитонов И.А., Самбурский Л.М.
Сравнительный анализ SPICE-моделей КНИ/КНС МОП-транзисторов для учёта радиационных эффектов
 Petrosyants K.O., Kortunov A.V., Kharitonov I.A., Popov D.A., Gomanilova N.B., Rjabov N.I.
Analysis and Simulation of Temperature-Current Rise in Modern PCB Traces
 Petrosyants K.O., Kharitonov I.A., Popov D.A.
Coupled TCAD-SPICE Simulation of Parasitic BJT Effect on SOI CMOS SRAM SEU
 Petrosyants K.O., Kharitonov I.A., Sambursky L.M.
Hardware-Software Subsystem for MOSFETs Characteristic Measurement and Parameter Extraction with Account for Radiation Effects
 Petrosyants K.O., Orekhov E.V., Kharitonov I.A., Popov D.A.
TCAD analysis of self-heating effects in bulk silicon and SOI n-MOSFETs
 Petrosyants K.O., Kharitonov I.A.
Account for radiation effects in signal integrity analysis of PCB digital systems
 Petrosyants K.O., Kharitonov I.A., Kozynko P.A., Popov A.A.
Electronic Components Thermal Regimes Investigation by IR Thermography
 Петросянц К.О., Харитонов И.А., Попов Д.А.
Применение пакетов программ TCAD и HSPICE для анализа переходных процессов в ячейках КМОП ИС с учетом влияния эффекта саморазгрева
2014 
 Петросянц К.О., Самбурский Л.М., Харитонов И.А.
Влияние различных видов радиации на характеристики кремний-германиевых гетеропереходных транзисторов
 Petrosyants K.O., Kharitonov I.A., Kozhukhov M.V., Sambursky L.M.
Expanding Commercial SPICE Possibilities in the Field of Extreme Environment Electronics Design by Using New BJT and MOSFET Models with Account for Radiation Influence
2015 
 Петросянц К.О., Харитонов И.А., Самбурский Л.М., Кожухов М.В.
Автоматизация измерений электрических характеристик биполярных и МОП транзисторов, применяемых в аппаратуре, подверженной воздействию различных видов радиации
 Petrosyants K.O., Kharitonov I.A., Sambursky L.M., Kozhukhov M.V.
IV-Characteristics Measurement Error Resulting from Long Cables for Irradiated Bipolar Junction Transistors
 Petrosyants K.O., Kharitonov I.A., Sambursky L.M.
SOI/SOS MOSFET Universal Compact SPICE Model with Account for Radiation Effects
 Петросянц К.О., Харитонов И.А., Кожухов М.В., Самбурский Л.М.
Схемотехнические SPICE-модели биполярных и МДП-транзисторов для автоматизации проектирования радиационно-стойких БИС
 Petrosyants K.O., Kharitonov I.A., Sambursky L.M., Mokeev A.S.
Rad-Hard Versions of SPICE MOSFET Models for Effective Simulation of SOI/SOS CMOS Circuits Taking into Account Radiation Effects
 Петросянц К.О., Самбурский Л.М., Харитонов И.А., Олухов В.М.
Учёт влияния импульсного ионизирующего воздействия в Spice-моделях биполярных транзисторов и диодов
 Петросянц К.О., Самбурский Л.М., Харитонов И.А.
Определение параметров Spice-моделей биполярных транзисторов в диапазоне температуры (-60 °C … +125 °C)
 Лебедев В., Петросянц К.О., Попов Д.А., Самбурский Л.М., Стахин В.Г., Харитонов И.А.
Моделирование КНИ МОП-транзисторов для высокотемпературных КМОП интегральных схем (до 300°С)
2016 
 Петросянц К.О., Самбурский Л.М., Харитонов И.А., Кожухов М.В.
Измерение электрических характеристик биполярных и МОП транзисторов, применяемых в аппаратуре, подверженной воздействию различных видов радиации
 Петросянц К.О., Самбурский Л.М., Харитонов И.А., Кожухов М.В.
Измерения электрических характеристик биполярных и МОП-транзисторов под действием радиации
 Petrosyants K.O., Lebedev S.V., Sambursky L.M., Stakhin V.G., Kharitonov I.A.
Temperature Characterization of Small-Scale SOI MOSFETs in the Extended Range (to 300°C)
2018 
 Петросянц К.О., Исмаил-Заде М.Р., Самбурский Л.М., Харитонов И.А.
SPICE-модели полевых транзисторов со структурой MOSFET и JFET для расширенного диапазона температуры до -200°С
 Лебедев С.В., Петросянц К.О., Стахин В.Г., Харитонов И.А.
Особенности моделирования субмикронных МОП-транзисторов для расчета низковольтных и микромощных КМОП СБИС
 

Сайт ИППМ    Сайт ИнфоМЭС    Обратная связь

Copyright © 2012-2019 ИППМ РАН. All Rights Reserved.
Обновлённая и существенно переработанная версия системы от 2016 года.

Разработка сайта - ИППМ РАН