Главная  Каталог авторов Каталог трудов Расширенный поиск Добавление статей Регистрация

Листинг всех работ автора. Нажмите на название работы чтобы получить по ней полную информацию.

Петросянц К.О. (Petrosyants K.O.)
2005 
 Петросянц К.О., Рябов Н.И., Казаков В.И., Макеев В.В., Русаков Д.Н., Чиркин Г.К.
Моделирование транзисторных структур силовой электроники
 Черный А.И., Богатырев В.Н., Поварницына З.М., Петросянц К.О., Харитонов И.А., Карелин А.А.
Проектирование и разработка ОУ на основе КМОП КНИ технологии
2006 
 Петросянц К.О., Торговников Р.А.
Сравнительный анализ схемотехнических моделей SiGe гетеробиполярного транзистора
 Петросянц К.О., Ширабайкин Д.Б.
Математическое моделирование электромиграционных отказов межуровневых соединений БИС
 Петросянц К.О., Козынко П.А.
Совершенствование подсистемы теплового моделирования печатных плат в САПР Mentor Graphics
2008 
 Петросянц К.О.
Тепловое моделирование компонентов МЭС: от субмикронных элементов СБИС до сложных электронных блоков
 Петросянц К.О., Торговников Р.А.
Особенности моделирования SiGe:C гетеропереходного биполярного транзистора
 Петросянц К.О., Рябов Н.И., Харитонов И.А., Козынко П.А.
Реализация процесса электротеплового моделирования в САПР БИС Mentor Graphics
 Харитонов И.А., Петросянц К.О., Орехов Е.В., Ятманов А.П., Самбурский Л.М.
Приборно-технологическое моделирование элементной базы КМОП КНИ БИС с учётом факторов радиационного воздействия
2010 
 Петросянц К.О., Рябов Н.И.
Моделирование датчиков температуры мощных интеллектуальных ИС
2011 
 Petrosyants K.O., Sambursky L.M., Kharitonov I.A., Yatmanov A.P.
SOI/SOS MOS-Transistor Compact Macromodel Taking into Account Radiation Effects
 Петросянц К.О., Харитонов И.А., Самбурский Л.М., Орехов Е.В.
Определение параметров электрической подсхемы, подключаемой к SPICE модели МОП транзистора для учета влияния отдельных ядерных частиц
 Петросянц К.О., Торговников Р.А.
Моделирование структуры SiGe гетеропереходного биполярного транзистора с учётом эффекта саморазогрева
 Petrosyants K.O., Orekhov E.V., Popov D.A., Kharitonov I.A., Sambursky L.M., Yatmanov A.P., Voevodin A.V., Mansurov A.N.
TCAD-SPICE Simulation of MOSFET switch delay time for different CMOS technologies
 Петросянц К.О., Самбурский Л.М., Харитонов И.А., Ятманов А.П.
Компактная макромодель КНИ/КНС МОП-транзистора, учитывающая радиационные эффекты
 Petrosyants K.O., Vologdin E.N., Smirnov D.A., Torgovnikov R.A., Kozhukhov M.V.
Si BJT and SiGe HBT Performance Modeling after Neutron Radiation Exposure
 Петросянц К.О., Торговников Р.А.
Влияние щелевой диэлектрической изоляции на тепловой режим SiGe гетеропереходного биполярного транзистора
2012 
 Петросянц К.О., Харитонов И.А., Адонин А.С., Сидоров А.В., Александров А.В.
Создание IBIS моделей цифровых микросхем с учетом воздействия внешних факторов
 Грязнов Е.Г., Мансуров А.Н., Петросянц К.О.
Конструкции ячеек радиационно-стойких энергонезависимых ОЗУ, интегрированных в КМОП КНИ процесс
 Петросянц К.О., Харитонов И.А., Орехов Е.В., Самбурский Л.М., Ятманов А.П., Воеводин А.В.
Исследование стойкости к воздействию отдельных ядерных частиц ячеек КНИ КМОП ОЗУ методами смешанного 3D TCAD-SPICE моделирования
 Петросянц К.О., Рябов Н.И.
Оценка эффективности теплоотвода BGA-корпусов ИМС с помощью квазитрёхмерного теплового моделирования на ЭВМ
 Петросянц К.О., Кожухов М.В., Попов Д.А., Орехов Е.В.
Математические модели, встроенные в систему TCAD, для учета влияния гамма- и нейтронного излучения на полупроводниковые приборы
 Козынко П.А., Петросянц К.О., Сидоров А.В., Харитонов И.А., Чичканов Е.Н.
New Version of Automated Electro-Thermal Analysis in Mentor Graphics PCB Design System
 Петросянц К.О., Харитонов И.А., Самбурский Л.М., Адонин А.С.
Макромодель EKV RAD для КНИ/КНС МОП транзисторов, учитывающая радиационные эффекты
 Петросянц К.О., Харитонов И.А., Орехов Е.В., Самбурский Л.М., Ятманов А.П.
Моделирование влияния паразитного биполярного транзистора на механизм одиночных сбоев ячейки памяти КНИ КМОП ОЗУ
 Кожухов И.Б., Петросянц К.О.
SiGe HBT Performance Modeling after Proton Radiation Exposure
 Петросянц К.О., Попов А.А.
Experimental Investigation of Temperature-Current Rise in Embedded PCB Traces
 Петросянц К.О., Рябов Н.И.
Logi-Thermal Analysis of Digital Circuits Using Mixed-Signal Simulator Questa ADMS
 Петросянц К.О.
Программно-аппаратный комплекс для расчёта и оценки радиационной и температурной стойкости электронной компонентной базы аэрокосмического назначения
 Дрозденко Е.С., Петросянц К.О., Поварницына З.М., Харитонов И.А., Хотькова О.А., Самбурский Л.М., Черный А.И.
Определение параметров spice-модели КНС МОП-транзисторов для проектирования аналоговых и цифро-аналоговых специализированных интегральных схем для радиационно-стойкой аппаратуры
 Петросянц К.О., Самбурский Л.М., Харитонов И.А., Дрозденко Е.С., Поварницына З.М., Богатырев В.Н.
Simulation of Total Dose Influence on Analog-Digital SOI/SOS CMOS Circuits with EKV-RAD macromodel
 Петросянц К.О., Рябов Н.И.
Quasi-3D approach for BGA Package Thermal Modeling
 Петросянц К.О., Самбурский Л.М.
SPICE-модели фотодиодов и фототранзисторов для расчёта КНС КМОП фоточувствительных ячеек
2013 
 Харитонов И.А., Александров А.В., Гоманилова Н.Б., Малышев А.А., Петросянц К.О., Самодуров Д.А., Чемеза Д.М.
Информационно-измерительный комплекс для определения параметров схемотехнических SPICE моделей электронных компонентов с учетом температуры
 Петросянц К.О., Смирнов Д.С., Кожухов М.В.
Влияние электронного и гамма-излучений на статические характеристики кремниевых СВЧ биполярных транзисторов
 Петросянц К.О.
Моделирование тепловых режимов электронных компонентов
 Petrosyants K.O., Popov D.A.
Experimental Investigation of Temperature-Current Rise in Fine PCB Copper Traces on Polyimide, Aluminium and Ceramic (Al2O3) Substrates
 Petrosyants K.O., Kharitonov I.A., Kozynko P.A., Popov A.A.
Electronic Components Thermal Regimes Investigation by IR Thermography
 Петросянц К.О., Кожухов М.В.
SPICE-модели кремниевых БТ и кремний германиевых ГБТ, учитывающие влияние радиационных факторов
 Петросянц К.О., Харитонов И.А., Попов Д.А.
Применение пакетов программ TCAD и HSPICE для анализа переходных процессов в ячейках КМОП ИС с учетом влияния эффекта саморазгрева
 Petrosyants K.O., Orekhov E.V., Kharitonov I.A., Popov D.A.
TCAD analysis of self-heating effects in bulk silicon and SOI n-MOSFETs
 Petrosyants K.O., Kortunov A.V., Kharitonov I.A., Popov D.A., Gomanilova N.B., Rjabov N.I.
Analysis and Simulation of Temperature-Current Rise in Modern PCB Traces
 Петросянц К.О., Смирнов Д.С., Кожухов М.В.
Влияние изохронного и изотермического отжига на процесс восстановления коэффициента усиления по току кремниевого биполярного транзистора, подвергнутого воздействию радиации
 Петросянц К.О., Попов Д.А.
Учет влияния температуры на радиационный сдвиг порогового напряжения МОП-транзистора в системе TCAD
 Petrosyants K.O., Kharitonov I.A., Sambursky L.M.
Hardware-Software Subsystem for MOSFETs Characteristic Measurement and Parameter Extraction with Account for Radiation Effects
 Petrosyants K.O., Popov A.A.
Experimental investigation of temperature-current rise in fine PCB copper traces on polyimide, aluminium and ceramic (Al2O3) substrates
 Petrosyants K.O., Kharitonov I.A., Popov D.A.
Coupled TCAD-SPICE Simulation of Parasitic BJT Effect on SOI CMOS SRAM SEU
 Петросянц К.О., Харитонов И.А., Самбурский Л.М.
Сравнительный анализ SPICE-моделей КНИ/КНС МОП-транзисторов для учёта радиационных эффектов
 Petrosyants K.O., Kharitonov I.A.
Account for radiation effects in signal integrity analysis of PCB digital systems
2014 
 Петросянц К.О., Самбурский Л.М., Харитонов И.А.
Влияние различных видов радиации на характеристики кремний-германиевых гетеропереходных транзисторов
 Petrosyants K.O., Kharitonov I.A., Kozhukhov M.V., Sambursky L.M.
Expanding Commercial SPICE Possibilities in the Field of Extreme Environment Electronics Design by Using New BJT and MOSFET Models with Account for Radiation Influence
2015 
 Petrosyants K.O., Kharitonov I.A., Sambursky L.M., Kozhukhov M.V.
IV-Characteristics Measurement Error Resulting from Long Cables for Irradiated Bipolar Junction Transistors
 Петросянц К.О., Попов Д.А., Самбурский Л.М.
Анализ с помощью системы TCAD токов утечки 45 нм МОП транзисторной структуры с high-k диэлектриком
 Лебедев В., Петросянц К.О., Попов Д.А., Самбурский Л.М., Стахин В.Г., Харитонов И.А.
Моделирование КНИ МОП-транзисторов для высокотемпературных КМОП интегральных схем (до 300°С)
 Петросянц К.О., Самбурский Л.М., Харитонов И.А., Олухов В.М.
Учёт влияния импульсного ионизирующего воздействия в Spice-моделях биполярных транзисторов и диодов
 Петросянц К.О., Харитонов И.А., Кожухов М.В., Самбурский Л.М.
Схемотехнические SPICE-модели биполярных и МДП-транзисторов для автоматизации проектирования радиационно-стойких БИС
 Петросянц К.О., Самбурский Л.М., Харитонов И.А.
Определение параметров Spice-моделей биполярных транзисторов в диапазоне температуры (-60 °C … +125 °C)
 Петросянц К.О., Кожухов М.В.
Влияние параметров слоя кремний-германиевой базы на эффект саморазогрева в структуре гетеропереходного биполярного транзистора
 Петросянц К.О., Харитонов И.А., Самбурский Л.М., Кожухов М.В.
Автоматизация измерений электрических характеристик биполярных и МОП транзисторов, применяемых в аппаратуре, подверженной воздействию различных видов радиации
 Petrosyants K.O., Kharitonov I.A., Sambursky L.M., Mokeev A.S.
Rad-Hard Versions of SPICE MOSFET Models for Effective Simulation of SOI/SOS CMOS Circuits Taking into Account Radiation Effects
 Petrosyants K.O., Kharitonov I.A., Sambursky L.M.
SOI/SOS MOSFET Universal Compact SPICE Model with Account for Radiation Effects
2016 
 Petrosyants K.O., Lebedev S.V., Sambursky L.M., Stakhin V.G., Kharitonov I.A.
Temperature Characterization of Small-Scale SOI MOSFETs in the Extended Range (to 300°C)
 Петросянц К.О., Самбурский Л.М., Харитонов И.А., Кожухов М.В.
Измерение электрических характеристик биполярных и МОП транзисторов, применяемых в аппаратуре, подверженной воздействию различных видов радиации
 Петросянц К.О., Самбурский Л.М., Харитонов И.А., Кожухов М.В.
Измерения электрических характеристик биполярных и МОП-транзисторов под действием радиации
2018 
 Петросянц К.О.
Состояние работ в области моделирования полупроводниковых компонентов с учетом влияния радиации и температуры
 Петросянц К.О., Исмаил-Заде М.Р., Самбурский Л.М., Харитонов И.А.
SPICE-модели полевых транзисторов со структурой MOSFET и JFET для расширенного диапазона температуры до -200°С
 Лебедев С.В., Петросянц К.О., Стахин В.Г., Харитонов И.А.
Особенности моделирования субмикронных МОП-транзисторов для расчета низковольтных и микромощных КМОП СБИС
 Петросянц К.О., Кожухов М.В., Попов Д.А.
Обобщённая TCAD-модель для учёта радиационных эффектов в структурах МОП и биполярных транзисторов
 Петросянц К.О., Попов Д.А.
Моделирование эффекта саморазогрева КНИ МОП-транзистора с различной конфигурацией скрытого оксида
 Петросянц К.О.
Компактные SPICE-модели элементов КМОП и БиКМОП СБИС, работающих в экстремальных условиях
 

Сайт ИППМ    Сайт ИнфоМЭС    Обратная связь

Copyright © 2012-2019 ИППМ РАН. All Rights Reserved.
Обновлённая и существенно переработанная версия системы от 2016 года.

Разработка сайта - ИППМ РАН