МЭС

Всероссийская научно-техническая конференция
"Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем" посвящена актуальным вопросам автоматизации проектирования МЭС, систем на кристалле, IP-блоков и новой элементной базы микро- и наноэлектроники. Эти вопросы были и остаются актуальными для науки и техники, о чем свидетельствует тематика соответствующих крупнейших ежегодных международных конференций по САПР и разработке микро- и наноэлектронной аппаратуры.

Конференция проходит раз в два года в Зеленограде.

Сайт конференции: www.mes-conference.ru



выберите для просмотра итогов год проведения конференции: 2005 2006 2008 2010 2012 2014 2016 2018 2020

Итоги конференции МЭС-2005

С 11 по 14 октября 2005 года в Подмосковье (Истринский район) на базе санатория работников органов прокуратуры РФ "Истра" прошла Всероссийская научно-техническая конференция "Проблемы разработки перспективных микроэлектронных систем – 2005" (МЭС-2005).

Конференция посвящена актуальным вопросам автоматизации проектирования МЭС, систем на кристалле, IP-блоков и новой элементной базы микроэлектроники. Эти вопросы были и остаются актуальными для науки и техники, о чем свидетельствует тематика соответствующих крупнейших ежегодных международных конференций по САПР и разработке микроэлектронной аппаратуры, таких как:

Учредители конференции:

Организатор и проводящая организация – Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН. В качестве соорганизаторов выступили:

  • МНТОРЭС им. А.С.Попова,
  • ФГУП "НИИМА "Прогресс"
  • Московский государственный институт электронной техники (ТУ)

Информационную поддержку осуществляли журналы:

Проведение конференции МЭС-2005 в России призвано помочь обобщению отечественного научного опыта разработки МЭС и привлечению внимания научной общественности к этой проблеме, которая является важным элементом научной и инновационной активности ученых России.

В день открытия конференции, на пленарном заседании, выступили известные российские ученые, которые сделали 6 обзорных докладов по основным вопросам тематики конференции. Всего на конференции заслушаны 84 сессионных доклада 176 авторов из 7 городов России (от Москвы до Хабаровска) и двух городов Украины (Киев, Львов).

Более 40% участников конференции моложе 35 лет. В числе авторов докладов 19 докторов наук, 45 кандидатов наук, 15 аспирантов, 3 студента. Распределение докладов, поступивших от организаций.

Рабочие заседания конференции проходили в рамках трех, параллельно работавших, научных секций:

  • методы и средства автоматизации проектирования МЭС;
  • опыт разработки МЭС;
  • системы на кристалле (СнК) и IP-блоки.

На них рассмотрены различные аспекты разработки САПР МЭС и СБИС, такие как методы и алгоритмы функционально-логического моделирования, методы моделирования электрических характеристик СБИС, методы смешанного и аналогового поведенческого моделирования в схемотехническом проектировании; методы и алгоритмы автоматизации топологического проектирования, методы приборно-технологического моделирования СБИС. Обсужден опыт разработки цифровых и цифро-аналоговых МЭС. Большое внимание было уделено обсуждению общих проблем проектирования "систем на кристалле", в том числе, вопросам разработки архитектуры систем, реализуемых в виде СнК, IP-блокам и проблемам их включения в СнК. Представлен ряд докладов по разработке и использованию отечественных платформ СнК. В изданный сборник научных трудов конференции включены полные тексты 79 докладов, заслушанных на конференции (по решению Оргкомитета пленарные доклады не публикуются).

От имени Оргкомитета МЭС-2005 выражаю глубокую благодарность спонсорам конференции: Freescale Semiconductor, Inc.; Intel; Megratec-Inline Group; НИЦ "Микростайл" за финансовую поддержку инициативы ИППМ РАН по проведению этого важного для России мероприятия.

Приглашаю ученых и конструкторов России, работающих в областях САПР и разработки микроэлектронной аппаратуры, к участию в конференции МЭС-2006.

Председатель Организационного комитета конференции,
директор ИППМ РАН, член-корреспондент РАН,
доктор технических наук, профессор А.Л. Стемпковский